Журнал Компьютерра - Журнал «Компьютерра» №43 от 22 ноября 2005 года Страница 11

Тут можно читать бесплатно Журнал Компьютерра - Журнал «Компьютерра» №43 от 22 ноября 2005 года. Жанр: Компьютеры и Интернет / Прочая околокомпьтерная литература, год неизвестен. Так же Вы можете читать полную версию (весь текст) онлайн без регистрации и SMS на сайте Knigogid (Книгогид) или прочесть краткое содержание, предисловие (аннотацию), описание и ознакомиться с отзывами (комментариями) о произведении.

Журнал Компьютерра - Журнал «Компьютерра» №43 от 22 ноября 2005 года читать онлайн бесплатно

Журнал Компьютерра - Журнал «Компьютерра» №43 от 22 ноября 2005 года - читать книгу онлайн бесплатно, автор Журнал Компьютерра

Как вы решаете проблему устаревания технологического оборудования, не способного изготавливать продукцию по современным проектным нормам?

- Мы производим продукцию, востребованную российским и мировым рынком. Конечно, на своем оборудовании мы не можем выпускать процессоры класса Pentium, зато производим широкую гамму силовой и высоковольтной электроники.

У нас есть установки, изготовленные еще в советские годы, но есть и купленные совсем недавно. Их обслуживанием занимается сервисный центр при НИИ точного машиностроения, также входящем в состав подразделения «Микроэлектронные компоненты» концерна «Научный центр».

А объективную оценку уровня технологий дает процент выхода годных. Мировой уровень - это 95%. «Микрон» очень близок к этому показателю.

Где вы ищете кадры? Как оцениваете образовательный уровень современных молодых специалистов? Не скрою, многие, с кем мне приходилось общаться, мягко говоря, от него не в восторге.

- Конечно, кадровый голод ощущается, но это временные трудности. Сейчас хороших специалистов можно привлечь тем, что компания развивается. Значит, у них есть перспектива роста вместе с предприятием. Примечательно, что к нам возвращаются специалисты, ушедшие в свое время в иностранные компании. Да, там им хорошо платили, но возможности развития личности там весьма ограничены. Поэтому они предпочли что-то потерять в деньгах, но иметь возможность двигаться вперед в профессиональном плане.

Раньше все определялось не сложностью решаемых задач, а квалификацией работников, которые имелись в наличии. Теперь мы «перевернем пирамиду», в том числе за счет привлечения новых специалистов на новых материальных условиях.

Что касается выпускников вузов, то они никогда не приходили на предприятие готовыми профессионалами. Им нужно многое показать, дать привыкнуть. С этим всегда были проблемы. И всегда будут. Производство-то не из простых.

А вообще, у нас существуют собственные программы повышения квалификации. Мы отправляем молодежь на стажировку за границу, обучаем студентов на своей кафедре в Московском институте электронной техники, оплачиваем учебу в колледже и впоследствии берем на работу.

Зеленоград в последние годы сильно «сдал» как центр микроэлектроники. Как вы считаете, восстановит ли город свой статус или превратится в обычный спутник мегаполиса? Кроме того, существует мнение, что возврата к «чистым» наукоградам или технополисам уже не будет - времена изменились.

- Россия не сможет претендовать на статус сильной державы, если у нее не будет собственной микроэлектроники. Это вопрос и обороноспособности, и развития прикладной науки, и, в конце концов, вопрос престижа - иметь у себя одно из самых технологически сложных производств, существующих сегодня.

А где может вновь набрать силы микроэлектроника, если не в Зеленограде? И возрождение уже началось. Кто работал у нас в последние годы: представители старшего поколения и зеленая молодежь. Среднее поколение «вымыло» волной перестройки. Специалисты ушли в мелкие фирмы или сменили профессию, начали ездить на заработки в Москву. Но некоторые уже возвращаются. Мы их с радостью принимаем и готовы принять всех, кто чувствует в себе силы для работы в нашей компании и еще не утратил любви к отрасли.

К нашему желанию возродить отрасль добавляются и объективные факторы: специалисты по микроэлектронике готовятся в Зеленограде, здесь есть успешные профильные предприятия. Здесь живут люди, которые работают или работали в микроэлектронике. Их дети вполне могут пойти по стопам родителей, у них в подсознании «записано», что это престижно[На мой взгляд, спорное утверждение, не подтвердившееся в общении с молодыми жителями «Зелика» (так они любовно называют свой город). - Ю.Р.].

Государство и мы должны быть заинтересованы в том, чтобы вкладывать деньги в талантливых ребят через создание перспективных рабочих мест.

Китайцы говорят, что огромное количество чипов для часов и калькуляторов им делают в Зеленограде. Это продукция «Микрона»?

- В 1990-е «Микрон» производил такие микросхемы. Сейчас мы ушли с этого рынка из-за низкой нормы прибыли. Насколько мне известно, большое количество чипов для часов и калькуляторов производит «Ангстрем».

Какую продукцию «Микрон» поставляет на мировой рынок?

- Завод специализируется на силовой электронике. Мы будем развивать это направление как профильное по принципу вертикальной интеграции продуктов: предложим рынку пластины, микросхемы и интеллектуальные силовые модули.

Мировой рынок компонентов управления силовым электропитанием в 2004 года составил $17 млрд. (7% от всего рынка полупроводников). Сегодня и в России, и в Азии заказчик имеет возможность выбирать: купить ему дорогую микросхему International Rectifier, дешевую китайскую или надежный чип «Микрона».

Объем рынка силовых компонентов в России сегодня составляет $54,5 млн. Это очень перспективный сегмент - темпы его роста оцениваются в 40% в год, тогда как рост всего рынка электронных компонентов не превышает 20%.

Главными потребителями мощных полупроводниковых компонентов являются предприятия добывающей отрасли, энергетического комплекса и ВПК, то есть вполне успешные в своем бизнесе и платежеспособные структуры.

Будущее - в прошедшем времени

Наше отставание в области микроэлектроники от мирового уровня в 60-е годы оценивалось примерно в 5 лет. Так первый планарный транзистор был создан в НИИМЭ в отделе Е.П. Дробышева в 1965 г. (через 6 лет после американской фирмы Fairchild Semiconductor). Именно это, по-видимому, и было основной причиной того, что в нашей стране был широко распространен метод копирования добытых спецслужбами оправдавших себя «зарубежных аналогов» и при этом очень вяло осваивались оригинальные отечественные разработки, которые для этого должны были «внедряться», то есть обязательно преодолевать разнообразные, по большей части бюрократические, препятствия.

Технологическое отставание ликвидировать так и не удалось, да и трудно было это сделать в условиях роли постоянно догоняющего, даже при сравнительно щедро отпускаемых средствах. В 70-х на заводе «Микрон» гордились освоением технологических норм производства СБИС, соответствующих отставанию минимум на 10 лет. А к 1977 году стало ясно, что в создавшихся тогда административно-организационных условиях в отрасли очень трудно будет это отставание сколько-нибудь сократить.

В НИИМЭ осуществлялись не только конструкторские и технологические разработки. Достаточно широко и на хорошем научном уровне проводились поисковые экспериментальные и теоретические исследования. За 22 года, которые я проработал в НИИМЭ, мне приходилось не раз менять направление своей деятельности: переключаться с теории пробоя в полупроводниках на теорию высокотемпературной сверхпроводимости и фазовых переходов металл-полупроводник, затем на теорию интерференционных и дифракционных оптических явлений в тонкопленочных структурах и, наконец, на моделирование транзисторных микроэлектронных структур субмикронных размеров. Были развернуты работы по созданию оперативной голографической памяти большой емкости на основе пленок двуокиси ванадия и получены уникальные результаты.

Экспериментальные и теоретические исследования всех этих явлений в НИИМЭ велись, как принято говорить, на мировом уровне и в нашей стране у нас не было конкурентов. Судя по литературе, ряд полученных результатов нашел признание и за рубежом. К сожалению, все работы, связанные с фазовыми переходами в двуокиси ванадия, и созданием голографических запоминающих устройств были полностью прекращены в 1977 году и в настоящее время у нас в стране практически не ведутся. В те времена наблюдался сильный прогресс в создании полупроводниковых СБИС памяти, и голографическое направления стало представляться неперспективным.

Хочу еще раз подчеркнуть, что подобные исследования за рубежом практически не проводились и НИИМЭ можно было считать первопроходцем в этой области. Что касается явления и теории фазового перехода в окислах ванадия, то интенсивные исследования в этой области за рубежом практически остановились в 1987 году, по-видимому в связи с переключением внимания большинства работавших в этом направлении физиков-теоретиков на осмысление механизма высокотемпературной сверхпроводимости в окислах со слоистой структурой типа перовскита, открытой И.Беднорцем и К.Мюллером в филиале фирмы IBM в Цюрихе. Возможно, если бы исследования окислов ванадия были бы продолжены у нас в стране, открытие высокотемпературной проводимости могло бы произойти в НИИМЭ, а не в IBM.

Кроме кризиса теоретических работ, следует вспомнить и о быстро наступившем коллапсе разработок оборудования для микроэлектроники. Полупроводниковые технологии сильнейшим образом «завязаны» на технологическое оборудование. Нынешнее наше отставание в этих технологиях многие напрямую связывают с отсутствием у нас разработчиков и изготовителей такого оборудования и нехваткой средств для приобретения зарубежного. Как решались проблемы с оборудованием? Оно частично закупалось за рубежом, частично изготавливалось по зарубежным образцам (т.е. опять-таки копировалось!) на созданном в Зеленограде специальном машиностроительном предприятии. Сегодня ничего этого нет.

Перейти на страницу:
Вы автор?
Жалоба
Все книги на сайте размещаются его пользователями. Приносим свои глубочайшие извинения, если Ваша книга была опубликована без Вашего на то согласия.
Напишите нам, и мы в срочном порядке примем меры.
Комментарии / Отзывы
    Ничего не найдено.